研究テーマ
半導体物理研究グループ
半導体素子内の物理現象を研究するグループです。
主に次世代半導体素子の物理現象を対象としており、TCAD等を用いた半導体物性・半導体素子シミュレーション、等価回路モデル開発等を通した物理現象の解明・モデル化により最適素子構造の設計指針を明らかとすることを目的としています。
最近は下記を研究対象としています。
- Z2-FET
- パワー半導体
- 磁気抵抗効果
評価技術開発グループ
半導体物性評価技術を開発するグループです。
半導体製造工程不良から半導体素子特性までを対象としており、電気信号を含むなにかしらの測定信号から半導体物性評価を実現する技術を開発することを目的としています。評価対象によっては物理現象解明が必要になるため半導体素子物理研究グループと共同で研究することもあります。
最近は下記を開発対象としています。
- 半導体素子製造不良の自動検出技術
- 積層半導体基板評価技術(pseudo-MOS法)
- 電気特性高速評価技術
- 自動測定ソフトウェア開発
電子材料開発グループ
新規電子材料の成膜方法を研究するグループです。
半導体膜等の電子材料は同じ化学式をもつ材料の場合でも製造条件によって特性が異なります。様々な製造条件から最適な成膜条件を模索し、最大のコストパフォーマンスが得られる半導体製造手法を開発することを目的としています。
最近は下記を開発対象としています。
- 太陽光発電向け半導体材料開発
- ReRAM材料開発
